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NSVMMUN2130LT1G | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 488-NSVMMUN2130LT1G-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NSVMMUN2130LT1G |
Beschreibung | PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR ( |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung PNP mit Vorspannung 50 V 100 mA 246 mW Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 3 bei 5mA, 10V |
Hersteller onsemi | Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 250mV bei 5mA, 10mA |
Verpackung Lose im Beutel | Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 500nA |
Status der Komponente Aktiv | Leistung - Max. 246 mW |
Transistor-Typ PNP mit Vorspannung | Klasse Automobiltechnik |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100 mA | Qualifizierung AEC-Q101 |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Widerstände enthalten R1 und R2 | Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms | Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236) |
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 1 kOhms |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,01769 | € 53,07 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 0,01769 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 0,02123 |
