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SNSS40600CF8T1G
onsemi
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 40 V 6 A 100MHz 830 mW Oberflächenmontage ChipFET™
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NSS40600CF8T1G

DigiKey-Teilenr.
NSS40600CF8T1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
NSS40600CF8T1GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NSS40600CF8T1G
Beschreibung
TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 40 V 6 A 100MHz 830 mW Oberflächenmontage ChipFET™
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Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
6 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
40 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
220mV bei 400mA, 4A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
220 bei 1A, 2V
Leistung - Max.
830 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
8-SMD, flache Anschlüsse
Gehäusetyp vom Lieferanten
ChipFET™
Basis-Produktnummer
NSS40600
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