Name: MJE5742G
Brand: onsemi
SKU: MJE5742GOS-ND
Price: 2.532 EUR
Availability: InStock

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 400 V 8 A 2 W Durchkontaktierung TO-220

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MJE5742G
DigiKey-Teilenr.	MJE5742GOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	MJE5742G
Beschreibung	TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 400 V 8 A 2 W Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	MJE5742G Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 200 bei 2A, 5V
Herst. onsemi	Leistung - Max. 2 W
Verpackung Stange	Betriebstemperatur -65°C bis 150°C (TJ)
Status der Komponente Aktiv	Montagetyp Durchkontaktierung
Transistor-Typ NPN - Darlington	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8 A	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 400 V	Basis-Produktnummer MJE5742
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 3V bei 400mA, 8A

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