Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 160 V 16 A 1MHz 125 W Durchkontaktierung TO-247-3
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 160 V 16 A 1MHz 125 W Durchkontaktierung TO-247-3
TO-218

MJE4343G

DigiKey-Teilenr.
MJE4343GOS-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
MJE4343G
Beschreibung
TRANS NPN 160V 16A TO-247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 160 V 16 A 1MHz 125 W Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
16 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3,5V bei 2A, 16A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
750µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
15 bei 8A, 2V
Leistung - Max.
125 W
Frequenz - Übergang
1MHz
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Basis-Produktnummer
MJE4343
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