MJD42C onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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onsemi

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MJD42C
DigiKey-Teilenr.	MJD42C-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	MJD42C
Beschreibung	TRANS PNP 100V 6A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 100 V 6 A 3MHz 1.75 W Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	MJD42C Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	6 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	1,5V bei 600mA, 6A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	15 bei 3A, 4V
Leistung - Max.	1.75 W
Frequenz - Übergang	3MHz
Betriebstemperatur	-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK
Basis-Produktnummer	MJD42