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Direkter Ersatz

MJD117G
onsemi
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Direkter Ersatz

MJD117T4
STMicroelectronics
Vorrätig: 1 328
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Oberflächenmontage DPAK
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MJD117

DigiKey-Teilenr.
MJD117-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
MJD117
Beschreibung
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Oberflächenmontage DPAK
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3V bei 40mA, 4A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1000 bei 2A, 3V
Leistung - Max.
1.75 W
Frequenz - Übergang
25MHz
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Basis-Produktnummer
MJD11
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