Name: MJD112G
Brand: onsemi
SKU: MJD112GOS-ND
Price: 1.08 EUR
Availability: InStock

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MJD112G
DigiKey-Teilenr.	MJD112GOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	MJD112G
Beschreibung	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	MJD112G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Transistor-Typ	NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	3V bei 40mA, 4A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	1000 bei 2A, 3V
Leistung - Max.	1.75 W
Frequenz - Übergang	25MHz
Betriebstemperatur	-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK
Basis-Produktnummer	MJD112

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150	€ 0,34100	€ 51,15
525	€ 0,27981	€ 146,90
1 050	€ 0,25328	€ 265,94
2 025	€ 0,23203	€ 469,86
5 025	€ 0,20782	€ 1.044,30
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