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N-Kanal 100 V 10 A (Tc) 49W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
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N-Kanal 100 V 10 A (Tc) 49W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
TO-252AA

HUF76609D3ST

DigiKey-Teilenr.
HUF76609D3STFSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
HUF76609D3ST
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 10 A (Tc) 49W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
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EDA/CAD-Modelle
HUF76609D3ST Modelle
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
UltraFET™
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
10 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
160mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
425 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
49W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer
HUF76609
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