N-Kanal 100 V 56 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-262 (I2PAK)
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HUF75639S3

DigiKey-Teilenr.
HUF75639S3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
HUF75639S3
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 56 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-262 (I2PAK)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 20 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2000 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
25mOhm bei 56A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
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HUF75639S3STonsemi0HUF75639S3STCT-ND€ 3,14000Vom Hersteller empfohlen
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