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Datenblatt
N-Kanal 100 V 56 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

HUF75639P3

DigiKey-Teilenr.
HUF75639P3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
HUF75639P3
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 56 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
HUF75639P3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 20 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2000 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
25mOhm bei 56A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (21)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOT2916LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT2916L-ND€ 0,00000Ähnlich
DMNH10H028SCTDiodes Incorporated68DMNH10H028SCTDI-5-ND€ 1,90000Ähnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 2,83000€ 2,83
50€ 1,41660€ 70,83
100€ 1,27970€ 127,97
500€ 1,03970€ 519,85
1 000€ 0,96257€ 962,57
2 000€ 0,89774€ 1.795,48
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 2,83000
Stückpreis mit MwSt.:€ 3,39600