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IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
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IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
TO-263

HGT1S10N120BNST

DigiKey-Teilenr.
HGT1S10N120BNSTCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
HGT1S10N120BNSTDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
HGT1S10N120BNST
Beschreibung
IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
IGBT-Typ
NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
35 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
80 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,7V bei 15V, 10A
Leistung - Max.
298 W
Schaltenergie
320µJ (Ein), 800µJ (Aus)
Eingangstyp
Standard
Gate-Ladung
100 nC
Td (on/off) bei 25°C
23ns/165ns
Testbedingung
960V, 10A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Basis-Produktnummer
HGT1S10
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