N-Kanal 200 V 9 A (Tc) 3,75W (Ta), 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SUM09N20-270-E3

DigiKey-Teilenr.
SUM09N20-270-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SUM09N20-270-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 9A TO263
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 9 A (Tc) 3,75W (Ta), 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
270mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
580 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,75W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SUM09
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Obsolet
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