Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 60 V 5 A 1.3 W Durchkontaktierung TO-126-3
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KSD1691GSTU

DigiKey-Teilenr.
488-KSD1691GSTU-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
KSD1691GSTU
Beschreibung
TRANS NPN 60V 5A TO-126-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 60 V 5 A 1.3 W Durchkontaktierung TO-126-3
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV bei 200mA, 2A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
200 bei 2A, 1V
Leistung - Max.
1.3 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-225AA, TO-126-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-126-3
Basis-Produktnummer
KSD1691
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