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FQPF2N90

DigiKey-Teilenr.
FQPF2N90-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FQPF2N90
Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 1.4A TO220F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 900 V 1,4 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
QFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
1,4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7,2Ohm bei 700mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
500 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
FQPF2
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Obsolet
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