FQPF13N50CSDTU onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

FQPF13N50CSDTU ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Vorrätig: 0

Stückpreis : € 0,00000

Ähnlich

Vishay Siliconix

Vorrätig: 0

Stückpreis : € 3,01000

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 1 712

Stückpreis : € 2,31000

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 241

Stückpreis : € 3,42000

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 182

Stückpreis : € 3,38000

Parametrisches Äquivalent

Rochester Electronics, LLC

Vorrätig: 15 845

Stückpreis : € 1,64101

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQPF13N50CSDTU
DigiKey-Teilenr.	FQPF13N50CSDTU-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQPF13N50CSDTU
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 13 A (Tc) 48W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
EDA/CAD-Modelle	FQPF13N50CSDTU Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	QFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	480mOhm bei 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2055 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	48W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220F-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	FQPF1