FQP5N50C ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

AOT5N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 400
Stückpreis : € 1,51000
Datenblatt

Ähnlich

IRF830APBF
Vishay Siliconix
Vorrätig: 1 723
Stückpreis : € 2,50000
Datenblatt

Ähnlich

IRF830PBF
Vishay Siliconix
Vorrätig: 1 494
Stückpreis : € 2,15000
Datenblatt

Ähnlich

STP9NK50Z
STMicroelectronics
Vorrätig: 766
Stückpreis : € 2,93000
Datenblatt
Alle Ersatzkomponenten anzeigen und vergleichen
N-Kanal 500 V 5 A (Tc) 73W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQP5N50C

DigiKey-Teilenr.
FQP5N50C-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FQP5N50C
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 5 A (Tc) 73W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FQP5N50C Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
QFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,4Ohm bei 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
625 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
73W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FQP5
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.
Nicht stornierbar / keine Rückgabe