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FCB290N80
onsemi
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N-Kanal 800 V 6,6 A (Tc) 3,13W (Ta), 167W (Tc) Durchkontaktierung TO-262 (I2PAK)
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FQI7N80TU

DigiKey-Teilenr.
FQI7N80TU-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FQI7N80TU
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 6,6 A (Tc) 3,13W (Ta), 167W (Tc) Durchkontaktierung TO-262 (I2PAK)
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
QFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6,6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,5Ohm bei 3,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1850 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,13W (Ta), 167W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Gehäuse / Hülle
TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
FQI7N80
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