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FDP61N20
onsemi
Vorrätig: 1 350
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N-Kanal 100 V 12,8 A (Tc) 65W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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FQP13N10

DigiKey-Teilenr.
FQP13N10-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FQP13N10
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 12,8 A (Tc) 65W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
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FQP13N10 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
QFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12,8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 6,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
450 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
65W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FQP13
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