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N-Kanal 500 V 350mA (Tc) 1,5W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3
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FQNL2N50BTA

DigiKey-Teilenr.
FQNL2N50BTATB-ND - Band & Box (TB)
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FQNL2N50BTA
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 350mA (Tc) 1,5W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
QFET®
Verpackung
Band & Box (TB)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
350mA (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5,3Ohm bei 175mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,7V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
230 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1,5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 lange Bauform, geformte Anschlüsse
Basis-Produktnummer
FQNL2
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