Name: FQD2N100TM
Brand: onsemi
SKU: FQD2N100TMTR-ND
Price: 2.328 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQD2N100TM
DigiKey-Teilenr.	FQD2N100TMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FQD2N100TMCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FQD2N100TMDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQD2N100TM
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1000 V 1,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	QFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9Ohm bei 800mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	520 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	FQD2N100