FQB19N20CTM onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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onsemi

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FQB19N20CTM
DigiKey-Teilenr.	FQB19N20CTMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQB19N20CTM
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 19 A (Tc) 3,13W (Ta), 139W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 53 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1080 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 3,13W (Ta), 139W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 19 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FQB19N20
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 170mOhm bei 9,5A, 10V

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Ersatzartikel (1)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
FCB125N65S3	onsemi	496	488-FCB125N65S3CT-ND	€ 5,53000	Vom Hersteller empfohlen

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FQB19N20CTM