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FQAF11N90

DigiKey-Teilenr.
FQAF11N90-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FQAF11N90
Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 900 V 7,2 A (Tc) 120W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PF
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FQAF11N90 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
QFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
7,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
960mOhm bei 3,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3500 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
120W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PF
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
FQAF1
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Obsolet
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