FQA9N90-F109 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Parametrisches Äquivalent


Rochester Electronics, LLC
Vorrätig: 398
Stückpreis : € 1,69980
Datenblatt
N-Kanal 900 V 8,6 A (Tc) 240W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PN
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FQA9N90-F109

DigiKey-Teilenr.
FQA9N90-F109-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FQA9N90-F109
Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 900 V 8,6 A (Tc) 240W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PN
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,3Ohm bei 4,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2700 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
240W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PN
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Obsolet
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