Vom Hersteller empfohlen

FQA6N90C-F109 | |
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DigiKey-Teilenr. | FQA6N90C-F109-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FQA6N90C-F109 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 900 V 6 A (Tc) 198W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PN |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FQA6N90C-F109 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 40 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1770 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 198W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-3PN |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,3Ohm bei 3A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH085N80-F155 | onsemi | 377 | FCH085N80-F155-ND | € 15,46000 | Vom Hersteller empfohlen |


