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N-Kanal 100 V 5,8 A (Tc) 2,5W (Ta), 25W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
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N-Kanal 100 V 5,8 A (Tc) 2,5W (Ta), 25W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
TO-252AA

FQD7N10TM

DigiKey-Teilenr.
FQD7N10TMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FQD7N10TM
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 5,8 A (Tc) 2,5W (Ta), 25W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
QFET®
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
5,8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
350mOhm bei 2,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
250 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
2,5W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer
FQD7
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Obsolet
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