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onsemi
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N-Kanal 60 V 100 A (Tc) 214W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
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FQA85N06

DigiKey-Teilenr.
FQA85N06-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FQA85N06
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A TO3P
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 100 A (Tc) 214W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FQA85N06 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
QFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
10mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4120 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
214W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
FQA8
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