N-Kanal 250 V 4,4 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDU6N25

DigiKey-Teilenr.
FDU6N25OS-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FDU6N25
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 250 V 4,4 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
UniFET™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4,4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,1Ohm bei 2,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
250 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
IPAK
Gehäuse / Hülle
TO-251-3 mit Stummelpins, IPAK
Basis-Produktnummer
FDU6
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