FDP19N40 onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDP19N40
DigiKey-Teilenr.	FDP19N40-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDP19N40
Beschreibung	MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 400 V 19 A (Tc) 215W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FDP19N40 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 40 nC @ 10 V
Serie UniFET™	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2115 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 215W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 19 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FDP19
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 240mOhm bei 9,5A, 10V