Vom Hersteller empfohlen



FDMS1D2N03DSD | |
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DigiKey-Teilenr. | FDMS1D2N03DSDOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FDMS1D2N03DSD |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 19A 8PQFN |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 30V 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) 2,1W (Ta), 26W (Tc), 2,3W (Ta), 42W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6) |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Hersteller | onsemi | |
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) | |
Status der Komponente | Obsolet | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | N-Kanal (zweifach), asymmetrisch | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 3,25mOhm bei 19A, 10V, 0,97mOhm bei 37A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,5V bei 320µA, 3V bei 1mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 33nC bei 10V, 117nC bei 10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1410pF bei 15V, 4860pF bei 15V | |
Leistung - Max. | 2,1W (Ta), 26W (Tc), 2,3W (Ta), 42W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | 8-PowerWDFN | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 8-PQFN (5x6) | |
Basis-Produktnummer |


