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onsemi
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Datenblatt
MOSFETs - Arrays 30V 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) 2,1W (Ta), 26W (Tc), 2,3W (Ta), 42W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
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MOSFETs - Arrays 30V 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) 2,1W (Ta), 26W (Tc), 2,3W (Ta), 42W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
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FDMS1D2N03DSD

DigiKey-Teilenr.
FDMS1D2N03DSDOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FDMS1D2N03DSD
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 19A 8PQFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 30V 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) 2,1W (Ta), 26W (Tc), 2,3W (Ta), 42W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
N-Kanal (zweifach), asymmetrisch
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3,25mOhm bei 19A, 10V, 0,97mOhm bei 37A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 320µA, 3V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
33nC bei 10V, 117nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1410pF bei 15V, 4860pF bei 15V
Leistung - Max.
2,1W (Ta), 26W (Tc), 2,3W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
8-PowerWDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Basis-Produktnummer
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