Name: FDMS0309AS
Brand: onsemi
SKU: 488-FDMS0309ASTR-ND
Price: 1.368 EUR
Availability: InStock

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FDMS0309AS
DigiKey-Teilenr.	488-FDMS0309ASTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-FDMS0309ASCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-FDMS0309ASDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDMS0309AS
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 21 A (Ta), 49 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®, SyncFET™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21 A (Ta), 49 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,5mOhm bei 21A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3000 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	FDMS03