Name: FDD306P
Brand: onsemi
SKU: FDD306PTR-ND
Price: 1.572 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDD306P
DigiKey-Teilenr.	FDD306PTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDD306PCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDD306PDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDD306P
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 6,7 A (Ta) 52W (Ta) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FDD306P Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,7 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	28mOhm bei 6,7A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	21 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1290 pF @ 6 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	52W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	FDD306