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N-Kanal 600 V 4,5 A (Tc) 52W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
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FCU900N60Z

DigiKey-Teilenr.
FCU900N60Z-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FCU900N60Z
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 4,5 A (Tc) 52W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt
 Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
SuperFET® II
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
900mOhm bei 2,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
710 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
52W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
IPAK
Gehäuse / Hülle
TO-251-3 mit Stummelpins, IPAK
Basis-Produktnummer
FCU900
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