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FCP650N80Z

DigiKey-Teilenr.
FCP650N80Z-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCP650N80Z
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 10 A (Tc) 162W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FCP650N80Z Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 800µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
35 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1565 pF @ 100 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
162W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
650mOhm bei 4A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (2)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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