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FCP650N80Z | |
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DigiKey-Teilenr. | FCP650N80Z-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FCP650N80Z |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 10A TO220 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 10 A (Tc) 162W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FCP650N80Z Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 800µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1565 pF @ 100 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 162W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 650mOhm bei 4A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP400N80Z | onsemi | 807 | FCP400N80Z-ND | € 4,04000 | Vom Hersteller empfohlen |
| IXTP10N60P | IXYS | 0 | IXTP10N60P-ND | € 1,87073 | Ähnlich |



