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2N6491G
onsemi
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 80 V 10 A 1,5MHz 90 W Durchkontaktierung TO-220
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BD810G

DigiKey-Teilenr.
BD810G-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
BD810G
Beschreibung
TRANS PNP 80V 10A TO-220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 80 V 10 A 1,5MHz 90 W Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1,1V bei 300mA, 3A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
15 bei 4A, 2V
Leistung - Max.
90 W
Frequenz - Übergang
1,5MHz
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Basis-Produktnummer
BD810
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