Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1 A 140MHz 1.5 W Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 3-WDFNW (2x2)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BCP56MTWG

DigiKey-Teilenr.
488-BCP56MTWG-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
BCP56MTWG
Beschreibung
TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Standardlieferzeit des Herstellers
23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1 A 140MHz 1.5 W Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 3-WDFNW (2x2)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV bei 50mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
63 bei 150mA, 2V
Leistung - Max.
1.5 W
Frequenz - Übergang
140MHz
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäuse / Hülle
3-WDFN mit freiliegendem Pad
Gehäusetyp vom Lieferanten
3-WDFNW (2x2)
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