Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 160 V 700 mA 120MHz 700 mW Durchkontaktierung 3-NP
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2SC3332T

DigiKey-Teilenr.
2SC3332T-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
2SC3332T
Beschreibung
TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 160 V 700 mA 120MHz 700 mW Durchkontaktierung 3-NP
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
700 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
400mV bei 25mA, 250mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
200 bei 100mA, 5V
Leistung - Max.
700 mW
Frequenz - Übergang
120MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
3-NP
Basis-Produktnummer
2SC3332
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