Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Durchkontaktierung TP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2SB1216S-E

DigiKey-Teilenr.
2SB1216S-E-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
2SB1216S-E
Beschreibung
TRANS PNP 100V 4A TP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Durchkontaktierung TP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
2SB1216S-E Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV bei 200mA, 2A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
140 bei 500mA, 5V
Leistung - Max.
1 W
Frequenz - Übergang
130MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Gehäusetyp vom Lieferanten
TP
Basis-Produktnummer
2SB1216
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt.

Alternative Kaufoptionen

150Vorrätig
Kaufoption