Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 350 V 500 mA 200MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92-3
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2N6517BU

DigiKey-Teilenr.
2N6517BU-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2N6517BU
Beschreibung
TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 350 V 500 mA 200MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
20 bei 50mA, 10V
Herst.
Leistung - Max.
625 mW
Verpackung
Lose im Beutel
Frequenz - Übergang
200MHz
Status der Komponente
Obsolet
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Transistor-Typ
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
350 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V bei 5mA, 50mA
Basis-Produktnummer
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
50 nA (ICBO)
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (4)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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