2N5655G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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STMicroelectronics

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Stückpreis : € 0,92000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2N5655G
DigiKey-Teilenr.	2N5655GOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	2N5655G
Beschreibung	TRANS NPN 250V 0.5A TO-126
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 250 V 500 mA 10MHz 20 W Durchkontaktierung TO-126
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2N5655G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	250 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	10V bei 100mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	30 bei 100mA, 10 mV
Leistung - Max.	20 W
Frequenz - Übergang	10MHz
Betriebstemperatur	-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-225AA, TO-126-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-126
Basis-Produktnummer	2N5655