2N5639G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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onsemi

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Stückpreis : € 0,20000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2N5639G
DigiKey-Teilenr.	2N5639G-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	2N5639G
Beschreibung	JFET N-CH 35V TO92
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	JFET N-Kanal 35 V 310 mW Durchkontaktierung TO-92 (TO-226)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2N5639G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)	35 V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)	25 mA @ 20 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10pF bei 12V (VGS)
Widerstand - RDS(On)	60 Ohms
Leistung - Max.	310 mW
Betriebstemperatur	-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-226-3, TO-92-3 langer Körper
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-92 (TO-226)
Basis-Produktnummer	2N5639