FGP10N60UNDF onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FGP10N60UNDF
DigiKey-Teilenr.	FGP10N60UNDF-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FGP10N60UNDF
Beschreibung	IGBT NPT 600V 20A TO-220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT NPT 600 V 20 A 139 W Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FGP10N60UNDF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	20 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	30 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,45V bei 15V, 10A
Leistung - Max.	139 W
Schaltenergie	150µJ (Ein), 50µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	37 nC
Td (on/off) bei 25°C	8ns/52,2ns
Testbedingung	400V, 10A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	37.7 ns
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Basis-Produktnummer	FGP10N60