N-Kanal 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
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BS170

DigiKey-Teilenr.
BS170-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BS170
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers
23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
BS170 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 1mA
Herst.
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Lose im Beutel
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
40 pF @ 10 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
830mW (Ta)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5Ohm bei 200mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Lose im Beutel
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 0,38000€ 0,38
10€ 0,23500€ 2,35
100€ 0,14810€ 14,81
500€ 0,11070€ 55,35
1 000€ 0,09861€ 98,61
2 000€ 0,08843€ 176,86
5 000€ 0,07738€ 386,90
10 000€ 0,07055€ 705,50
50 000€ 0,05858€ 2.929,00
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:€ 0,38000
Stückpreis mit MwSt.:€ 0,45600