RF-MOSFET 50 V 200 mA 30MHz bis 2,2GHz 18,4dB 125W NI-400S-2S
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
RF-MOSFET 50 V 200 mA 30MHz bis 2,2GHz 18,4dB 125W NI-400S-2S
5G Wireless Infrastructure for a Connected World

MMRF5017HSR5

DigiKey-Teilenr.
568-13864-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
MMRF5017HSR5
Beschreibung
RF MOSFET HEMT 50V NI400
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
RF-MOSFET 50 V 200 mA 30MHz bis 2,2GHz 18,4dB 125W NI-400S-2S
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Strom - Test
200 mA
Hersteller
NXP USA Inc.
Leistung - Abgabe
125W
Verpackung
Tablett
Spannung - Nennwert
150 V
Status der Komponente
Obsolet
Montagetyp
Oberflächenmontage
Technologie
HEMT
Gehäuse / Hülle
NI-400S-2S
Frequenz
30MHz bis 2,2GHz
Gehäusetyp vom Lieferanten
NI-400S-2S
Verstärkung
18,4dB
Basis-Produktnummer
Spannung - Test
50 V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt.