Einstellungen
Schnelle Lieferung
Kostenlose Lieferung
Incoterms
Zahlungsmethoden
Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
BUK7E4R0-80E,127 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 568-9854-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | BUK7E4R0-80E,127 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 349W (Tc) Durchkontaktierung I2PAK |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 169 nC @ 10 V |
Herst. | Vgs (Max.) ±20V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 12030 pF @ 25 V |
Verpackung Stange | Verlustleistung (max.) 349W (Tc) |
Status der Komponente Obsolet | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
FET-Typ | Klasse Automobiltechnik |
Technologie | Qualifizierung AEC-Q101 |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten I2PAK |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4mOhm bei 25A, 10V | Basis-Produktnummer |
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA |
Fehlerhafte Produktinformationen melden
Dokumente und Medien
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Obsolet
