BUK7E11-55B,127 NXP USA Inc. | Einzelne FETs, MOSFETs

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BUK7E11-55B,127
DigiKey-Teilenr.	568-5723-5-ND
Hersteller	NXP USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	BUK7E11-55B,127
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 55 V 75 A (Tc) 157W (Tc) Durchkontaktierung I2PAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Herst. NXP USA Inc.	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 37 nC @ 10 V
Serie TrenchMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2604 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 157W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V	Gehäusetyp vom Lieferanten I2PAK
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 75 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer BUK7
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11mOhm bei 25A, 10V

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Ersatzartikel (2)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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