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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
NH3T008MP120F2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 5140-NH3T008MP120F2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NH3T008MP120F2 |
Beschreibung | 1200 V, 8 m SiC Half-Bridge Powe |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 200 A (Tc) Chassisbefestigung |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | NoMIS Power | |
Serie | ||
Verpackung | Tablett | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | Siliziumkarbid (SiC) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 200 A (Tc) | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V @ 100mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 530nC @ 20V | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Chassisbefestigung | |
Gehäuse / Hülle | Modul | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | - |
Auf Lager: 6
MARKTPLATZPRODUKT
Wird in etwa 5 Tagen von NoMIS Power versendet
Es wird eine separate Versandpauschale von € 129,09 erhoben.
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MAXIMALES KAUFLIMIT
| Tablett: | 9 |
Menge
Alle Preise in EUR
Tablett
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 128,23000 | € 128,23 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 128,23000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 153,87600 |
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