Name: NH3T008MP120F2
Brand: NoMIS Power
SKU: 5140-NH3T008MP120F2-ND
Price: 154.428 EUR
Availability: InStock

Neu bei DigiKey

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NH3T008MP120F2
DigiKey-Teilenr.	5140-NH3T008MP120F2-ND
Hersteller	NoMIS Power
Hersteller-Teilenummer	NH3T008MP120F2
Beschreibung	1200 V, 8 m SiC Half-Bridge Powe
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 200 A (Tc) Chassisbefestigung
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	NoMIS Power
Serie	1200
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200 A (Tc)
Vgs(th) (max.) bei Id	4V @ 100mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	530nC @ 20V
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	-

Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 6

MARKTPLATZPRODUKT

Wird in etwa 5 Tagen von NoMIS Power versendet

Es wird eine separate Versandpauschale von € 129,56 erhoben.

Menge

Alle Preise in EUR

Tablett

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 128,69000	€ 128,69

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.