FQA47P06 onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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FQA47P06
DigiKey-Teilenr.	FQA47P06-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQA47P06
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 55A TO3P
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 55 A (Tc) 214W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FQA47P06 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 110 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (Max.) ±25V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3600 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 214W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-3P
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 55 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-3P-3, SC-65-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FQA4
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 26mOhm bei 27,5A, 10V

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IXTH52P10P	IXYS	631	238-IXTH52P10P-ND	€ 8,55000	Ähnlich

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