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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
PSMN2R0-60ES,127 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1727-5281-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | PSMN2R0-60ES,127 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 60 V 120 A (Tc) 338W (Tc) Durchkontaktierung I2PAK |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 137 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Obsolet | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9997 pF @ 30 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 338W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten I2PAK |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,2mOhm bei 25A, 10V | Basis-Produktnummer |
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