Name: PSMN1R7-40YLDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R7-40YLDXTR-ND
Price: 2.94 EUR
Availability: InStock

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PSMN1R7-40YLDX
DigiKey-Teilenr.	1727-PSMN1R7-40YLDXTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-PSMN1R7-40YLDXCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-PSMN1R7-40YLDXDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PSMN1R7-40YLDX
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 200 A (Tc) 194W (Tc) Oberflächenmontage LFPAK56, Power-SO8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,05V bei 1mA
Herst. Nexperia USA Inc.	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 109 nC @ 10 V
Serie TrenchMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7966 pF @ 20 V
Status der Komponente Aktiv	FET-Merkmal Schottky-Diode (Körper)
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 194W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 200 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten LFPAK56, Power-SO8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle SC-100, SOT-669
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,8mOhm bei 25A, 10V	Basis-Produktnummer PSMN1R7