N-Kanal 1200 V 35 A (Tc) 183W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 1200 V 35 A (Tc) 183W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
TO-247
Best-in-class RDSon temperature stability - Understanding Nexperia 1200 V SiC MOSFETs #1

NSF080120L4A0Q

DigiKey-Teilenr.
1727-NSF080120L4A0Q-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NSF080120L4A0Q
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 35A TO247-4
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 35 A (Tc) 183W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
2,9V bei 2mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
52 nC @ 15 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+22V, -10V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1335 pF @ 800 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
183W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
120mOhm bei 20A, 15V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 14,72000€ 14,72
10€ 10,41100€ 104,11
450€ 7,31838€ 3.293,27
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